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  • 电气元件制品的制造及其应用技术
    • 一种太阳能电池的制作方法与流程
      本申请涉及半导体,更具体地说,涉及一种太阳能电池的制作方法。太阳能电池可将太阳能直接转换为电能,是一种最有效的清洁能源形式。目前的多结太阳能电池技术以其高转换效率、优良的抗辐射性能、稳定的温度特性以及易于规模化生产等优势,已全面取代传统的硅太阳能电池成为空间飞行器的主电源。但目前的...
    • 半导体发光装置的制作方法
      本申请涉及半导体相关,尤其涉及一种半导体发光装置。半导体发光装置具有低功耗、高光效、寿命长、环保等优点,其广泛应用于电脑、液晶显示器、液晶电视以及照明领域。目前对半导体发光装置所要求的性能日益提高,尤其是要求高的出光效率。现有半导体发光装置包括支架和发光元件,且支架配置有一个用于容...
    • 发光器件及其制备方法、显示装置与流程
      本发明涉及显示,具体涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。随着高阶电视(television,tv)市场对画质的要求越来越高,提升显示画质成为高阶tv的一个新需求。目前8k分辨率的有机电致发光二极管(organiclight-emittingdiode,oled)受限于补偿电路、...
    • 微发光二极管、微发光元件及显示器的制作方法
      本申请涉及半导体相关,尤其涉及一种微发光二极管、微发光元件及显示器。微发光二极管具有低功耗、高度亮、超高分辨率与色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优点,是目前热门研究的下一代显示器光源,且对微发光二极管的出光效率提出更高要求。现有提高微发光二极管的出光效率的方法包括在微发光二极管的侧...
    • 微发光二极管、微发光元件及显示器的制作方法
      本申请涉及半导体相关,尤其涉及一种微发光二极管、微发光元件及显示器。微发光二极管具有低功耗、高度亮、超高分辨率与色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优点,是目前热门研究的下一代显示器光源。若采用微发光二极管进行显示,由于现有微发光二极管具有较小尺寸和较大出光角度,微发光二极管所发出的光...
    • 微发光二极管、微发光元件及显示器的制作方法
      本申请涉及半导体相关,尤其涉及一种微发光二极管、微发光元件及显示器。微发光二极管具有低功耗、高度亮、超高分辨率与色彩饱和度、响应速度快、寿命长等优点,是目前热门研究的下一代显示器光源。为了提高微发光二极管的出光效率,一般在微发光二极管的侧壁镀有绝缘层,且同时需对微发光二极管的出光面...
    • 一种外延生长衬底、半导体外延结构及其制作方法与流程
      本发明涉及发光二极管领域,尤其涉及一种外延生长衬底、半导体外延结构及其制作方法。随着发光二极管的快速发展,led的应用日新月异,特别是led在显示技术的发展。随着led显示屏的分辨率越做越高,led芯片的尺寸越来越小。led芯片的一个重要发展趋势是小尺寸、高光效、大发光角度。目前常规芯片都...
    • 半导体发光元件及其制备方法与流程
      本发明涉及半导体光电器件,特别涉及一种半导体发光元件及其制备方法。氮化物半导体作为第三代化合物半导体,使用该材料制作的发光元件因具有节能环保、发光效率高、颜色波长易调控、体积小、使用寿命长等优点,已成为市场主流的照明光源。由于氮化物半导体的波长可调,可涵盖黄光、绿光、蓝光、紫光和深...
    • 一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法与流程
      本发明涉及发光二极管领域,尤其涉及一种通孔式垂直结构led芯片及其制作方法。随着led芯片技术的发展,垂直结构芯片和倒装结构芯片等均取得较大进步,尤其是采用通孔式的设计,可以极大提高垂直芯片和倒装芯片的发光效率。所谓通孔式,即是通过在外延表面开孔至n型半导体,通过电连接将n型接触引至芯片表...
    • 一种AlInGaN紫外发光器件及其制备方法与流程
      本发明涉及半导体器件,特别是涉及一种alingan紫外发光器件及其制备方法。半导体发光器件因其优异的特性被广泛应用于制备可见光,紫光,紫外光,而半导体发光器件也正在逐步改变人类的生活。半导体可见光器件给了人类光明,节约了能源。半导体紫光和紫外光和半导体可见光一样,正在逐步进入人们的...
    • 提高亮度的发光二极管芯片制作方法与流程
      本发明属于led,具体涉及一种提高亮度的发光二极管芯片制作方法。发光二极管(light-emittingdiode,led)是一种将电能转化为光能的半导体电子器件。当led有电流流过时,led中的电子与空穴在其多量子阱内复合而发出单色光。led作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光...
    • 一种micro-LED显示器件及其制备方法与流程
      本发明涉及半导体光电器件领域,具体涉及一种micro-led显示器件及其制备方法。高性能的ⅲ-ⅴ氮化物leds在显示、固态照明、通信等领域获得了巨大的成功。将led微型化获得的micro-led(微型发光二极管)新型显示器件,被称为“终极显示技术”,其单个像素以及像素间距降低至微米级别,并...
    • 一种高亮度红外光发光二极管管芯的制备方法及二极管管芯与流程
      本发明涉及一种高亮度红外光发光二极管管芯的制备方法及二极管管芯,属于半导体发光二极管制造。砷化镓是一种重要的半导体材料,晶格常数5.65×10-10m,熔点1237℃,禁带宽度1.4电子伏,是一种典型的能够直接跃迁型能带结构材料,导带极小值与价带极大值均处于布里渊区中心,这使其具有...
    • 降低复合速率的PERC电池的制作方法和PERC电池与流程
      本申请属于太阳能电池,尤其涉及一种降低复合速率的perc电池的制作方法和perc电池。相关技术中,perc电池的光电转换效率得以大幅提高的原因,主要在于背面钝化性能的加强,有效降低了背表面的复合速率。然而,目前perc电池的光电转换效率提升的瓶颈愈申请显,效率提升迫在眉睫。基于此,...
    • 一种钝化接触晶硅太阳电池制造装置及方法与流程
      本发明涉及太阳电池,尤其涉及一种钝化接触晶硅太阳电池制造装置及方法。太阳电池是利用半导体在吸收光照时产生光电效应从而将光能转换为电能的新型电池,而钝化接触晶硅太阳电池是指为了增加透光量、减少光损失而在硅片背面加入了钝化层的结构;对于钝化接触晶硅太阳电池来说,目前基于硅材料的电子选择...
    • 一种太阳能电池的制备方法与流程
      本发明涉及太阳能电池制造,具体涉及一种太阳能电池的制备方法。太阳能电池硅片的边长尺寸经历了125mm、156mm、158.75mm、166mm、180mm、182mm,现在最大尺寸到了210mm。随着太阳能电池尺寸的增大,太阳能电池的电流增大,电流失配后的串接损耗也相应增大,为了降...
    • 一种集成隧穿氧化层的非晶硅制备方法与流程
      本发明属于太阳能电池,具体涉及一种集成隧穿氧化层的非晶硅制备方法。光伏发电要想成为普惠能源,必须首先实现平价上网。因此要进一步提高太阳能电池的转换效率,减少度电成本。接触区的复合损失是限制工业太阳能电池效率提升的非常重要的因素。解决这个影响因素的一种常规方式是采用局部接触,这种结构...
    • 一种新型碳化硅超薄n型欧姆接触层n-i-p型极深紫外探测器及其制备方法与流程
      本发明涉及一种新型碳化硅(sic)超薄n型欧姆接触层n-i-p型极深紫外(euv)探测器及其制备方法,属于半导体器件光电探测。近年来,随着集成电路制备技术的飞速发展,集成电路产业正式进入7nm工艺线宽时代。而实现7nm工艺大规模高效率生产的关键就是“采用13.5nmeuv光作为曝光...
    • 一种量子点光电探测器以及制备方法与流程
      本申请涉及一种量子点光电探测器以及制备方法,属于光电探测。光电探测器是一种可以捕获特定波长范围的光信号,并把它们立即转换成电信号的设备。光电面阵探测器的结构是由cmos电路、光敏层和顶部电极堆叠而成。当光入射到光电探测器表面时,光敏层吸收光子的能量,产生光生电荷,在两端电极加的外加...
    • 一种光电探测器及其制备方法与流程
      本发明涉及光电探测,特别涉及一种光电探测器及其制备方法。从紫外(uv)到可见、红外(ir)乃至太赫兹区域的超宽光谱探测对于正在不断增长的工业和科研应用至关重要,例如天文成像、通信、环境监测、导弹拦截、昼夜监控以及化学/生物感应。将光信号转换为电信号的光电探测器已广泛用于成像、传感和...
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